參數(shù)資料
型號(hào)： IRFIB8N50K
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 147K
代理商： IRFIB8N50K
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET Power MOSFETs
$
!"##
%!!%
&' !
(!)
&* !
%!
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIBC30 30 AMP MINIATURE POWER RELAY
IRFIBC30G GT 19C 19#16 PIN RECP BOX
IRFIBE30 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)
IRFIBE30G N-Channel HEXFET Power MOSFET(800V,2.1A HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFIBF20G Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFIB8N50KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIBC20 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
IRFIBC20G 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIBC20GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIBC30 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*