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參數(shù)資料
| 型號： | IRFI9Z24G |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | IRFI9Z24G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI9Z24N | HEXFET Power MOSFET |
| IRFIB6N60A | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.75ohm, Id=5.5A) |
| IRFIB8N50K | SMPS MOSFET |
| IRFIBC30 | 30 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| IRFIBC30G | GT 19C 19#16 PIN RECP BOX |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFI9Z24GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI9Z24N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFI9Z34G | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI9Z34GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI9Z34N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (-55V, 0.1ohm, -14A) |
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