參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI9610G
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 170K
代理商： IRFI9610G
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
()***
V
DD
()
I
SD
78
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
2
-('</2
M-'M
'<//&'EE
6
'$/
$ */''
)
$ $3%''
60
6
2-/6M6.
666
6$%'$---'
- 91:-1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI9640 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A)
IRFI9640G Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A)
IRFI9Z24G HEXFET POWER MOSFET
IRFI9Z24N HEXFET Power MOSFET
IRFIB6N60A Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.75ohm, Id=5.5A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFI9610G 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P FULLPAK
IRFI9610G.PBF 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET P FULLPAK
IRFI9610GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI9620G 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI9620GPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*