參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI634G
廠商： International Rectifier
英文描述： POWER MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 297K
代理商： IRFI634G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI9610GPBF HEXFET POWER MOSFET
IRFI9610G HEXFET POWER MOSFET
IRFI9640 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A)
IRFI9640G Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A)
IRFI9Z24G HEXFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFI634GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI640 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
IRFI640A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-262AA
IRFI640B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
IRFI640BTU_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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