參數(shù)資料
型號： IRFI530N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET?? Power MOSFET
中文描述： 的HEXFET？？功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 133K
代理商： IRFI530N
IRFI530N
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
10 V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
10 V
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
0
50
100
150
200
250
300
350
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 3.7A
6.4A
BOTTOM 9.0A
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI624G Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.4A)
IRFI634G POWER MOSFET
IRFI9610GPBF HEXFET POWER MOSFET
IRFI9610G HEXFET POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFI530NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI540 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-220AB
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IRFI540ATU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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