參數資料
型號： IRFI510G
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 5/6頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： IRFI510G
相關PDF資料
PDF描述
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IRFI530G HEXFET POWER MOSFET
IRFI530N HEXFET?? Power MOSFET
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IRFI634G POWER MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRFI520A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFI520ATU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI520G 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI520GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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