參數(shù)資料
型號： IRFB4215
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 197K
代理商： IRFB4215
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
1
10
100
1000
4.0
5.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
I
D
T = 25 C
T = 175 C
°
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
70A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB4410 HEXFET Power MOSFET
IRFS4410 HEXFET Power MOSFET
IRFSL4410 HEXFET Power MOSFET
IRFB59N10 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFB59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFB4215PBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 113.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB4227PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB4228PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB4228PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 150V 83A TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 150V, 83A, TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 150V, 83A, TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
IRFB4229PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*