參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB30N20D
廠商： International Rectifier
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關(guān)電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器)
中文描述： 為200V，30A條開關(guān)電源MOSFET的高頻率DC - DC轉(zhuǎn)換器（200V的電壓，30A條開關(guān)電源MOSFET的用于高頻的DC - DC變換器）
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
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代理商： IRFB30N20D
IRFB/IRFS/IRFL30N20D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
7.3A
15A
18A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFL30N20D 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關(guān)電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器)
IRFS30N20D 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關(guān)電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器)
IRFS41N15DTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB
IRFS41N15DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB
IRFS440 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | SOT-186VAR
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參數(shù)描述
IRFB31N20 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
IRFB31N20D 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 制造商:Distributed By MCM 功能描述:200V 31A 200W Gds Ir Hexfet TO-220Ab N-Ch
IRFB31N20DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB3206GPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB3206PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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