參數(shù)資料
型號(hào)： IRF9956
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）\u003d 0.10ohm）
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： IRF9956
IRF9956
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 9.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0
50
100
150
200
250
300
350
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
Q , Total Gate Charge (nC)
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
V
G
I =
1.8A
V
= 10V
DS
0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T
t / t
x Z
=P
+ T
2
J
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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