參數資料
型號： IRF9540NS
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 0.117ohm，身份證\u003d- 23A條）
文件頁數： 5/7頁
文件大小： 59K
代理商： IRF9540NS
4-19
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
N
B
I
D
= 250
μ
A
2000
400
0
0
-20
-50
C
1200
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1600
800
-10
-30
-40
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
9
6
3
0
-20
-40
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
0
15
12
-60
-80
-100
g
f
,
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0.4
1.0
1.2
1.6
1.8
0.6
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.8
1.4
0.1
1
10
I
S
,
100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g(TOT)
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
20
40
60
80
-10
- 5
0
V
DS
= -20V
V
DS
= -50V
V
DS
= -80V
I
D
= -19A
IRF9540, RF1S9540SM
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PDF描述
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