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參數(shù)資料
| 型號： | IRF9540 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| 中文描述： | 19 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | IRF9540 |
4-19
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
N
B
I
D
= 250
μ
A
2000
400
0
0
-20
-50
C
1200
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1600
800
-10
-30
-40
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
9
6
3
0
-20
-40
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
0
15
12
-60
-80
-100
g
f
,
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0.4
1.0
1.2
1.6
1.8
0.6
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.8
1.4
0.1
1
10
I
S
,
100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g(TOT)
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
20
40
60
80
-10
- 5
0
V
DS
= -20V
V
DS
= -50V
V
DS
= -80V
I
D
= -19A
IRF9540, RF1S9540SM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9540NSTRL | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
| IRF9540 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
| IRF9540N | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
| IRF9540NL | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRF9540_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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