參數資料
型號： IRF7523D1
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V)
中文描述： FETKY⑩MOSFET的/肖特基二極管（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）\u003d0.11Ω的，肖特基室顫\u003d 0.39V）
文件頁數： 6/8頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： IRF7523D1
IRF7523D1
6
www.irf.com
Schottky Diode Characteristics
Fig. 13
- Typical Values of Reverse
Current Vs. Reverse Voltage
R
R
Fig. 12
-Typical Forward Voltage Drop Characteris-
tics
0.1
1
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
F
I
Forward Voltage Drop - V (V)
(V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
R
100°C
75°C
50°C
25°C
Reverse Voltage - V
(V)
125°C
A
T = 150°C
J
Fig.14
- Maximum Allowable Ambient
Temp. Vs. Forward Current
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0
Average Forward Current - I (A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
A
A
D = 3/4
D = 1/2
D =1/3
D = 1/4
D = 1/5
DC
V = 80% Rated
R = 100°C/W
Square wave
相關PDF資料
PDF描述
IRF7526D1 FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V)
IRF7805ZPbF HEXFET POWER MOSFET
IRF7805 Chip-Set for DC-DC Converters
IRF7805A Chip-Set for DC-DC Converters
IRF7807D1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT08; Number of Contacts:12; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Right Angle Plug
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF7523D1PBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7523D1TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7523D1TRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7524D1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm, Schottky Vf=0.39V)
IRF7524D1GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:FETKY MOSFET & Schottky Diode
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*