參數(shù)資料
型號： IRF7490
廠商： International Rectifier
英文描述： LED RED HLMP-6000-012 SMT
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： IRF7490
IRF7490
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
8.0
–––
–––
37
–––
8.0
–––
10
–––
13
–––
4.2
–––
51
–––
11
–––
1720 –––
–––
220
–––
25
–––
1650 –––
–––
130
–––
250
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 3.2A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
56 I
D
= 3.2A
nC
S
V
DS
= 50V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 100V
I
D
= 3.2A
R
G
= 9.1
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 80V
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
–––
–––
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
91
3.2
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 3.2A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 3.2A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
67
220
1.3
100
330
V
ns
nC
Diode Characteristics
2.3
43
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.11 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
100
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
33
–––
–––
–––
–––
–––
39
4.0
20
250
200
-200
m
V
V
GS
= 10V, I
D
= 3.2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
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IRF7490TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7490TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 5.4A 39mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7491 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8
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