參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7488
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 141K
代理商： IRF7488
IRF7488
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
40
80
120
160
200
240
EA
ID
TOP
1.7A
3.0A
BOTTOM
3.8A
0
20
40
60
80
ID , Drain Current (A)
0.022
0.024
0.026
0.028
0.030
0.032
0.034
0.036
RD
)
VGS= 10V
4.0
8.0
12.0
16.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.02
0.03
0.04
0.05
RD
)
ID = 3.8A
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