參數(shù)資料
型號： IRF7475PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大小： 200K
代理商： IRF7475PBF
10
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 4.7mH
R
G
= 25
, I
AS
= 8.8A.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
330.00
(12.992)
MAX.
14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
FEED DIRECTION
TERMINAL NUMBER 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS(INCHES).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
SO-8 Tape and Reel
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Consumer market.
Qualifications Standards can be found on IR’s Web site.
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09/04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7476 Power MOSFET(Vdss=12V, Id=15A)
IRF7478QPBF SMPS MOSFET
IRF7484PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7493PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7501 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7475TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 12V 11A 15mOhm 13nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7476 功能描述:MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7476HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 12V 15A 8-Pin SOIC
IRF7476PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 8mOhms 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7476PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:N
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