參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7467
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=11A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 12mohm，身份證\u003d 11A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 114K
代理商： IRF7467
IRF7467
2
www.irf.com
Symbol
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Avalanche Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
28
–––
––– 21 32 I
D
= 9.0A
–––
6.7
10
–––
5.8
8.7
–––
21
29
–––
7.8
–––
–––
2.5
–––
–––
19
–––
–––
4.0
–––
–––
2530 –––
–––
706
–––
–––
46
–––
Conditions
V
DS
= 16V, I
D
= 9.0A
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
V
DD
= 15V,
I
D
= 9.0A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
pF
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 9.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 9.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 9.0A, V
R
= 15V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 9.0A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.79
0.65
40
56
43
64
1.3
–––
60
84
65
96
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
223
11
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.029 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min. Typ. Max. Units
30
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
9.4
10.6 13.5
17
–––
–––
–––
–––
–––
12
V
GS
= 10V, I
D
= 11A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 9.0A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 5.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
m
35
2.0
20
100
200
-200
V
μA
nA
S
D
G
Diode Characteristics
2.3
90
A
V
SD
Diode Forward Voltage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
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PDF描述
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IRF7467PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7467TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7467TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 10A 15mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7468 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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