參數(shù)資料
型號: IRF7466
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=30V, Id=11A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 30V的,身份證\u003d 11A條)
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 233K
代理商: IRF7466
IRF7466
www.irf.com
5
Fig 10.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0.01
0.00001
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
2. Peak T =P
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THERMAL RESPONSE)
SINGLE PULSE
Fig 6.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
4.5V
+
-
V
DD
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7467PBF SMPS MOSFET
IRF7467 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=11A)
IRF7468 Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.4A)
IRF7469 Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.0A)
IRF7470 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7466PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 15mOhms 16nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7466TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7466TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 10A 15mOhm 16nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7466TRPBF-BLK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:International Rectifier IRF7466TRPBF-BLK MOSFETs
IRF7467 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件