參數(shù)資料
型號： IRF7465
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Id=1.9A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏，身份證\u003d 1.9A）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRF7465
IRF7465
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
4
8
12
16
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
1.14A
V
= 30V
DS
V
= 75V
DS
V
= 120V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
TA = 25
°
C
TJ = 150
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRF7469 Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.0A)
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參數(shù)描述
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IRF7465TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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