參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7451
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時(shí)，RDS（on）的最大值\u003d 0.09ohm，身份證\u003d 3.6A）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： IRF7451
IRF7451
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 13a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 14a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 14c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(B R)D SS
I
AS
RG
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
1.6A
2.9A
3.6A
TOP
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ID , Drain Current ( A )
0.070
0.073
0.075
0.078
0.080
0.083
0.085
RD
VGS = 10V
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.060
0.075
0.090
0.105
0.120
RD
)
ID = 2.2A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7452QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7452 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.060ohm, Id=4.5A)
IRF7453PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7453 Power MOSFET(Vdss=250V, Id=2.2A)
IRF7455PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7451HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC *LEADED*
IRF7451PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 150V, 3.6A, 90 MOHM, 28 NC QG, SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8
IRF7451TR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7451TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7452 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*