參數(shù)資料
型號： IRF7389PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 271K
代理商： IRF7389PBF
6
www.irf.com
!" "#
$"%#"&
1
10
100
0.1
1
10
D
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
-
-VDS
-3.0V
VGS
1
10
100
0.1
1
10
D
A
-
-VDS
-3.0V
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
1
10
100
3.0
3.5
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
T = 25°C
T = 150°C
D
A
-
V = -10V
20μs PULSE WIDTH
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
GS
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7402 HEXFET Power MOSFET
IRF7403 Power MOSFET
IRF7406 HEXFET POWER MOSFET
IRF7416PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7425PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7389PBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7389TR 功能描述:MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7389TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740 HAR 制造商:HAR 功能描述:IRF740 HARRIS
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*