參數(shù)資料
型號： IRF737LC
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET?? Power MOSFET
中文描述： 的HEXFET？？功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 145K
代理商： IRF737LC
IRF737LC
Parameter
Min. Typ. Max. Units
300
–––
–––
0.391 –––
–––
–––
2.0
–––
2.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6.6
–––
21
–––
13
–––
12
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 3.7A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V, I
D
= 3.7A
V
DS
= 300V, V
GS
= 0V
V
DS
= 240V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 6.1A
V
DS
= 240V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 150V
I
D
= 6.1A
R
G
= 12
R
D
= 24
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
0.75
4.0
–––
25
250
100
-100
17
4.8
7.6
–––
–––
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
430
120
9.2
–––
–––
–––
pF
nH
μA
nA
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
ns
4.5
7.5
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
–––
–––
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 6.1A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 6.1A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
320
1.5
1.6
490
2.2
V
ns
μC
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
–––
–––
24
–––
–––
6.1
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
6.1A, di/dt
≤
270A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 5.7mH
R
G
= 25
, I
AS
= 6.1A. (See Figure 12)
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