型號(hào): | IRF7343PBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET Power MOSFET |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 8/10頁(yè) |
文件大?。?/td> | 231K |
代理商: | IRF7343PBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IRF7350 | Power MOSFET(Vdss=+-100V) |
IRF7353D1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
IRF7353D2 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
IRF7379 | Power MOSFET |
IRF737LC | HEXFET?? Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRF7343QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7343QPBF_10 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
IRF7343QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7343TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC T/R |
IRF7343TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |