參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7341IPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 147K
代理商： IRF7341IPBF
IRF7341IPbF
www.irf.com
3
1
10
100
3
4
5
6
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 150 C
°
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
10V
4.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
3.0V
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
15V
8.0V
6.0V
3.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
3.0V
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
V = 0 V
T = 150 C
°
T = 25 C
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7341PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7342 Power MOSFET
IRF7343PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7350 Power MOSFET(Vdss=+-100V)
IRF7353D1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7341ITRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 4.7A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7341PBF 功能描述:MOSFET 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7341Q 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF7341QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7341QTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*