參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7324D1
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY MOSFET / Schottky Diode
中文描述： FETKY MOSFET的/肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 164K
代理商： IRF7324D1
IRF7324D1
6
www.irf.com
Schottky Diode Characteristics
Fig. 13
- Typical Values of Reverse
Current Vs. Reverse Voltage
Fig.14
- Typical Junction Capacitance Vs.
Reverse Voltage
R
R
Fig. 12
-Typical Forward Voltage Drop Characteris-
tics
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
4
8
12
16
20
R
100°C
75°C
50°C
25°C
Reverse Voltage - V
(V)
125°C
A
T = 150°C
J
0.1
1
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
F
I
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
10
100
1000
0
5
10
15
20
T = 25°C
Reverse Voltage - V (V)
T
J
A
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PDF描述
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參數(shù)描述
IRF7324D1PBF 功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 270 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7324D1TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7324D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2.2A 270mOhm 5.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7324PBF 功能描述:MOSFET DUAL -20V P-CH 12 VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7324TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Dual P-Channel 20 V 2 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
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