參數(shù)資料
型號： IRF7304QPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 264K
代理商： IRF7304QPBF
www.irf.com
4
!" #
$
$
0
500
1000
1500
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 12
-
I = -2.2A
V = -16V
0.1
1
10
100
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
1
10
100
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25°
°
J
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
1ms
10ms
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PDF描述
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IRF7306QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7307PBF HEXFET POWER MOSFET
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參數(shù)描述
IRF7304QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRF7304QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7304TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7304TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 4.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7306 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL PP LOGIC SO-8
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