參數(shù)資料
型號： IRF7301PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 249K
代理商： IRF7301PBF
!" #
$
$
0
300
600
900
1200
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 12
I = 2.6A
V = 16V
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
1
10
100
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7303QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7304QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7306PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7306QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7307PBF HEXFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7301TR 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7301TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
IRF7301TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7301TRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7303 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NN LOGIC SO-8
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*