參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7104PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 227K
代理商： IRF7104PBF
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
'()))
V
DD
'(
I
SD
23
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
'
-6-%,,-8
$J!$6J-%!#
%,,-8$82%@$@
1
%08#-%#
0.4%8-
3%-+,
0.071-
%%!%#<%%
1
6%#+,%8<$J!<%+=,
'
111
'
"'<%0106,-('$%6$6#
45+6+
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7105QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7201PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7201 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF7204PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7204 TRI N PLUG M 0-48 NO SEAL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7104TR 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7104TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7104TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7105 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NP LOGIC SO-8
IRF7105PBF 功能描述:MOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*