參數(shù)資料
型號: IRF6726MTRPbF
廠商: International Rectifier
英文描述: DirectFET Power MOSFET
中文描述: DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大?。?/td> 257K
代理商: IRF6726MTRPBF
www.irf.com
7
Fig 18.
for HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"#$
! %&'&&
&'&&)!'
#((
!
!"#$%&&'()%*
'((%)&*
G = GATE
D = DRAIN
S = SOURCE
G
D
D
D
D
S
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6727MPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6727MTRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6775MTRPBF DIGITAL AUDIO MOSFET
IRF6785MTRPBF DIGITAL AUDIO MOSFET
IRF7101PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF6727MPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
IRF6727MPBF_09 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
IRF6727MTR1PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6727MTRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6727MTRPBF_09 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET