參數(shù)資料
型號: IRF6716MPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: DirectFET Power MOSFET
中文描述: DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大小: 648K
代理商: IRF6716MPBF
6
www.irf.com
Fig 15a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 15b.
Gate Charge Waveform
Fig 16b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 16a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 17b.
Switching Time Waveforms
Fig 17a.
Switching Time Test Circuit
1K
20K
VCC
DUT
0
L
S
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1
Qgs2
Qgd
Qgodr
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
tp
V
(BR)DSS
I
AS
V
GS
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
Second Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF6716MTR1PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 39nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6716MTRPBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 39nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF6717MTR1PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube