參數(shù)資料
型號： IRF6635TRPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： IRF6635TRPBF
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
30
Typ.
–––
Max. Units
–––
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
R
DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
24
–––
mV/°C
m
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
1.3
1.8
–––
1.8
2.4
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
1.35
1.8
2.35
V
Gate Threshold Voltage Coefficient
–––
-6.1
–––
mV/°C
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
1.0
μA
–––
–––
150
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
–––
100
nA
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
-100
gfs
Q
g
Forward Transconductance
45
–––
–––
S
Total Gate Charge
–––
47
71
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Diode Characteristics
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
–––
12
–––
Post-Vth Gate-to-Source Charge
–––
4.7
–––
nC
Gate-to-Drain Charge
–––
17
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
–––
13
–––
See Fig. 15
–––
22
–––
–––
29
1.0
–––
–––
nC
–––
Turn-On Delay Time
–––
21
–––
Rise Time
–––
13
–––
Turn-Off Delay Time
–––
33
–––
ns
Fall Time
–––
8.3
–––
Input Capacitance
–––
5970
–––
Output Capacitance
–––
1280
–––
pF
Reverse Transfer Capacitance
–––
600
–––
Parameter
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
110
I
S
(Body Diode)
A
I
SM
Pulsed Source Current
–––
–––
250
(Body Diode)
V
SD
t
rr
Q
rr
Diode Forward Voltage
–––
–––
1.0
V
Reverse Recovery Time
–––
20
30
ns
Reverse Recovery Charge
–––
48
72
nC
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V, I
D
= 25A
V
GS
= 4.5V
I
D
= 25A
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
I
D
= 25A
Clamped Inductive Load
T
J
= 25°C, I
F
= 25A
di/dt = 500A/μs
See Fig. 18
T
J
= 25°C, I
S
= 25A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 32A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 25A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
MOSFET symbol
Conditions
See Fig. 16 & 17
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= 15V
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