參數(shù)資料
型號： IRF6635PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 252K
代理商： IRF6635PBF
www.irf.com
5
Fig 13.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 12.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11.
Maximum Safe Operating Area
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
TA = 25°C
TJ = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
100msec
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
ID
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
VG
ID = 250μA
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0
1
10
100
1000
IS
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VGS = 0V
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
EA
ID
TOP 9.1A
11A
BOTTOM 25A
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IRF6635TR1PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6635TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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