參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6612
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： IRF6612
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
96
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
24
–––
2.5
3.3
3.4
4.4
–––
2.25
-5.6
–––
–––
1.0
–––
100
–––
100
–––
-100
–––
–––
30
45
8.5
–––
2.9
–––
10
–––
8.6
–––
13
–––
18
–––
15
–––
52
–––
21
–––
4.8
–––
3970
–––
780
–––
360
–––
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
nC
ns
pF
Parameter
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
24
A
–––
–––
190
–––
–––
–––
–––
19
8.1
1.0
29
12
V
ns
nC
Typ.
–––
–––
I
D
= 19A
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
I
D
= 19A
Clamped Inductive Load
37
19
Max.
T
J
= 25°C, I
F
= 19A
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 19A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 24A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 19A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V, I
D
= 19A
V
GS
= 4.5V
MOSFET symbol
Conditions
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= 15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6612TR1 HEXFET Power MOSFET
IRF6614 DirectFET Power MOSFET
IRF6617TR1 HEXFET Power MOSFET
IRF6617 HEXFET Power MOSFET
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