參數(shù)資料
型號： IRF630NLPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大小： 299K
代理商： IRF630NLPBF
www.irf.com
2
IRF630NPbF/SPbF/LPbF
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 5.4A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 5.4A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
117
542
1.3
176
813
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
9.3
37
Parameter
Min. Typ. Max. Units
200
–––
–––
0.26
–––
–––
2.0
–––
4.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.9
–––
14
–––
27
–––
15
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 5.4A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V, I
D
= 5.4A
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 5.4A
V
DS
= 160V
V
GS
= 10V
V
DD
= 100V
I
D
= 5.4A
R
G
= 13
R
D
= 18
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
0.30
4.0
–––
25
250
100
-100
35
6.5
17
–––
–––
–––
–––
V
V/°C
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
575
89
25
–––
–––
–––
pF
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
1.83
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB mount)
°C/W
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PDF描述
IRF630NPBF HEXFET Power MOSFET
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IRF630NSPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF630NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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