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參數(shù)資料
| 型號： | IRF5Y6215CM |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-150V, Rds(on)=0.29ohm, Id=-11A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET P溝道（減振鋼板基本\u003d-為150V，的Rds（on）\u003d 0.29ohm，身份證\u003d- 11A條） |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | IRF5Y6215CM |
IRF5Y6215CM
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
-VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
-D
Tc = 25
°
C
Tj = 150
°
C
Single Pulse
1ms
10ms
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
1
10
100
0
400
800
1200
1600
2000
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
20
40
60
80
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
-6.6A
V
=-30V
DS
V
=-75V
DS
V
=-120V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
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