參數(shù)資料
型號(hào)： IRF5851
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss = +-20 V)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d -20五）
文件頁(yè)數(shù)： 14/14頁(yè)
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代理商： IRF5851
IRF5851
14
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF5852 Power MOSFET(Vdss=20V)
IRF5EA1310 POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=23A)
IRF5NJZ48 POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=22A*)
IRF5Y3315CM Standard Recovery Rectifier; Forward Current:20A; Forward Current Average:12.7A; Forward Current Avg Rectified, IF(AV):12.7A; Forward Surge Current Max, Ifsm:300A; Forward Voltage:1.1V; Forward Voltage Max, VF:1.1V RoHS Compliant: Yes
IRF5Y5305CM POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-18A*)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF5851PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Dual N/P-Ch 20V 2.7A/2.2A TSOP6
IRF5851TR 功能描述:MOSFET N+P 20V 2.7A 6-TSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF5851TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.7A Micro 6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF5851TRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Transistor Polarity:Dual N/P Channel
IRF5852 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V)
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