參數(shù)資料
型號(hào)： IRF540N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 44mohm，身份證\u003d 33A條）
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
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代理商： IRF540N
4
FIGURE 5. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN9321 and AN9322.
FIGURE 6. UNCLAMPED INDUCTIVE SWITCHING
CAPABILITY
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 8. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 10. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
Typical Performance Curves
(Continued)
10
100
10
300
300
1
1
100
μ
s
10ms
1ms
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
LIMITED BY r
DS(ON)
AREA MAY BE
OPERATION IN THIS
T
J
= MAX RATED
T
C
= 25
o
C
SINGLE PULSE
100
100
200
0.001
0.01
0.1
1
I
A
,
t
AV
, TIME IN AVALANCHE (ms)
t
AV
= (L)(I
AS
)/(1.3*RATED BV
DSS
- V
DD
)
If R
≠
0
t
AV
= (L/R)ln[(I
AS
*R)/(1.3*RATED BV
DSS
- V
DD
) +1]
If R = 0
STARTING T
J
= 25
o
C
STARTING T
J
= 150
o
C
10
0
20
40
60
2
3
4
6
I
D
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DD
= 15V
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
5
0
20
40
60
0
1
2
3
4
I
D
,
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
=5V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
T
C
= 25
C
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
-80
-40
0
40
80
120
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
O
V
GS
= 10V, I
D
= 33A
PULSE DURATION =
80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
160
2.5
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
160
IRF540N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF540ZLPBF AUTOMOTIVE MOSFET
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IRF540ZSPBF AUTOMOTIVE MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF540N-010HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
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IRF540NLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 33A 3PIN TO-262 - Bulk
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