參數(shù)資料
型號(hào)： IRF530SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 1838K
代理商： IRF530SPBF
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"
#$
# %
&& %# %'$
(
)*+(#",(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF5803D2PBF FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode
IRF6100PBF HEXFET Power MOSFET
IRF610PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF620PBF HEXFET Power MOSFET
IRF620SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF530STRL 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF530STRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF530STRR 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF530STRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF531 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Motorola 功能描述:IRF531 MOTOROLA S9G3A 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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