參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3709ZL
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 345K
代理商： IRF3709ZL
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
5
10
15
20
25
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VG
VDS= 24V
VDS= 15V
ID= 17A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
10000
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3709ZS HEXFET Power MOSFET
IRF3709Z HEXFET Power MOSFET
IRF3709 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3709L Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
IRF3709S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
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參數(shù)描述
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IRF3709ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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