參數(shù)資料
型號(hào): IRF3707L
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, Id=62A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 30V的,的Rds(on)最大值\u003d 12.5mohm,身份證\u003d 62A條)
文件頁數(shù): 6/12頁
文件大?。?/td> 276K
代理商: IRF3707L
6
www.irf.com
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13.
Gate Charge Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
Fig 14a.
Switching Time Test Circuit
Fig 14b.
Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
V
GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
150
175
EA
ID
TOP 4.5A
6.8A
BOTTOM23A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3707S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, Id=62A)
IRF3707ZCL HEXFET Power MOSFET
IRF3707ZCLPbF HEXFET Power MOSFET
IRF3707ZCS HEXFET Power MOSFET
IRF3707ZCSPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF3707LPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3707PBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3707S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3707SPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3707STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件