參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3704ZCSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 356K
代理商： IRF3704ZCSPBF
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
20
–––
–––
–––
1.65
–––
–––
–––
–––
–––
48
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.014
–––
6.3
7.9
8.9
11.1
2.1
2.55
-5.6
–––
–––
1.0
–––
150
–––
100
–––
-100
–––
–––
8.7
13
2.9
–––
1.1
–––
2.3
–––
2.4
–––
3.4
–––
5.6
–––
8.9
–––
38
–––
11
–––
4.2
–––
1220
–––
390
–––
190
–––
V
V/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
See Fig. 16
nC
ns
pF
Avalanche Characteristics
Parameter
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
67
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
260
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
11
2.3
1.0
17
3.5
V
ns
nC
MOSFET symbol
V
GS
= 4.5V, I
D
= 17A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
–––
V
GS
= 4.5V
I
D
= 17A
Typ.
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
T
J
= 25°C, I
F
= 17A, V
DD
= 10V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 17A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
Clamped Inductive Load
V
DS
= 10V, I
D
= 17A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 17A
V
DS
= 10V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 21A
Conditions
5.7
Max.
36
17
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PDF描述
IRF3709ZLPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZSPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZL HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZS HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF3704ZCSTRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 67A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF3704ZCSTRRP 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3704ZL 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 67A 3PIN TO-262 - Bulk
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