參數(shù)資料
型號： IRF3703
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=2.8mohm, Id=210A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 2.8mohm，身份證\u003d 210A）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 95K
代理商： IRF3703
IRF3703
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.028
–––
V/
°
C Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
2.3
2.8
–––
–––
–––
–––
–––
2.8
3.9
4.0
20
250
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 76A
V
GS
= 7.0V, I
D
= 76A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 150
°
C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
μA
nA
Parameter
Min. Typ. Max. Units
150
–––
–––
209
–––
62
–––
42
–––
18
–––
123
–––
53
–––
24
–––
8250
–––
–––
3000
–––
–––
290
–––
10360
–––
–––
3060
–––
–––
2590
–––
Conditions
V
DS
= 24V, I
D
= 76A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
I
D
= 76A
–––
nC
–––
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 24V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 76A
R
G
= 1.8
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 24V
–––
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1700
76
23
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 76A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 76A, V
DS
= 16V
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
0.8
80
185
1.3
120
275
V
ns
nC
Diode Characteristics
210
1000
A
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
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IRF3704PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.0mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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