參數(shù)資料
型號(hào): IRF360
廠商: International Rectifier
英文描述: 908140218
中文描述: 三極管N -通道(減振鋼板基本\u003d為400V,的Rds(on)\u003d 0.20ohm,身份證\u003d 25A條)
文件頁(yè)數(shù): 6/7頁(yè)
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代理商: IRF360
IRF360
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3703 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=2.8mohm, Id=210A)
IRF3704ZCLPBF HEXFET Power MOSFET
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IRF3709ZLPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF3610SPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3610STRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF362 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF36ER100K 制造商:Vishay Dale 功能描述:IND CHOKE 10UH 10% 2.52MHZ 70 FERRITE 500MA AXL - Tape and Reel
IRF36ER101K 制造商:Vishay Dale 功能描述:IND CHOKE 100UH 10% 2.52MHZ 30 FERRITE 275MA AXL - Tape and Reel