參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3515S
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時(shí)，RDS（on）的最大值\u003d 0.045ohm，身份證\u003d 41A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 126K
代理商： IRF3515S
IRF3515S/L
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
150
–––
–––
0.21
–––
––– 0.045
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 25A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/°C
V
4.5
25
250
100
-100
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
Parameter
Min. Typ. Max. Units
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
17
–––
120
–––
34
–––
63
–––
2260
–––
530
–––
170
–––
3330
–––
230
–––
280
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 25A
I
D
= 25A
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 75V
I
D
= 25A
R
G
= 2.5
R
D
= 3.0
,See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
107
23
65
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
pF
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
670
25
20
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 25A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 25A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
200
1.6
1.3
300
2.4
V
ns
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
41
164
A
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
0.75
40
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted, steady-state)*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF360 908140218
IRF3703 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=2.8mohm, Id=210A)
IRF3704ZCLPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZCSPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZLPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF3515SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF3515SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 150V, 41A, 45 MOHM, 71.3 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 41A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 150V, 41A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 150V, 41A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:41A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power ;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 150V 41A D2PAK
IRF3515STRL 功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3515STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF3515STRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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