參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3315PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 149K
代理商： IRF3315PBF
IRF3315PbF
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
T , Case Temperature
(°
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3415PBF HEXFET Power MOSFET
IRF3515L Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
IRF3515S Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
IRF360 908140218
IRF3703 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=2.8mohm, Id=210A)
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參數(shù)描述
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