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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF3315LPbF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 2/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 393K |
| 代理商： | IRF3315LPBF |
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www.irf.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3315SPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3315PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3415PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3515L | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) |
| IRF3515S | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF3315PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 21A 70mOhm 63.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3315S | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3315SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF3315SL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| IRF3315SPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 82mOhms 63.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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