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參數資料
| 型號： | IRF3202SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 4.0 to 4.4; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: LLD |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | IRF3202SPBF |
1
10
100
1000
0.1
1
10
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20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.0V
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
4.5V
48A
1
10
100
1000
2
3
4
5
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
5.00V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.0V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3315LPbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3315SPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3315PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3415PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3515L | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF320-323 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V |
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| IRF3205L | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3205LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3205PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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