參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3007LPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 263K
代理商： IRF3007LPBF
www.irf.com
3
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
A
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
0
40
80
120
160
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
20
40
60
80
100
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3007SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3202SPBF Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 4.0 to 4.4; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: LLD
IRF3315LPbF HEXFET Power MOSFET
IRF3315SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3315PBF HEXFET Power MOSFET
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