參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3000
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開(kāi)關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 120K
代理商： IRF3000
IRF3000
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
2.0
–––
–––
22
–––
4.7
–––
11
–––
8.2
–––
7.2
–––
23
–––
23
–––
730
–––
100
–––
20
–––
940
–––
39
–––
87
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 0.96A
33 I
D
= 0.96A
7.1
nC
V
DS
= 240V
17
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 150V
–––
I
D
= 0.96A
–––
R
G
= 2.2
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 240V,
= 1.0MHz
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 240V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
47
1.9
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 0.96A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 0.96A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
86
250
1.5
130
380
V
ns
nC
Diode Characteristics
1.6
13
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.38
–––
V/
°
C Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
300
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
0.34 0.40
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 0.96A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 300V, V
GS
= 0V
V
DS
= 240V, V
GS
= 0V, T
J
= 150
°
C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
5.0
25
250
100
-100
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3007PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF3007 AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3205Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3205ZL AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3205ZS AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3000PBF 功能描述:MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3000TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-Pin SOIC T/R
IRF3007 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3007L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
IRF3007LPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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