參數(shù)資料
型號(hào): IRF2907ZSPbF
廠(chǎng)商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 8/12頁(yè)
文件大小: 796K
代理商: IRF2907ZSPBF
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Recovery
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
"!!
#$$
!"!!%"
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
&'
#
≤ 1
(
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3000 SMPS MOSFET
IRF3007PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF3007 AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3205Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3205ZL AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF2907ZSTRL7PP 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2907ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2N60 制造商:SUNTAC 制造商全稱(chēng):SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF2N60-126 制造商:SUNTAC 制造商全稱(chēng):SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF2N60-220 制造商:SUNTAC 制造商全稱(chēng):SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET