參數(shù)資料
型號(hào)： IRF2903ZS
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
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代理商： IRF2903ZS
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
40
80
120
160
200
240
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VDS= 24V
VDS= 15V
ID= 75A
0.1
1.0
10.0
100.0
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
DC
LIMITED BY PACKAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3000PBF HEXFET Power MOSFET
IRF3007LPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3007SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3202SPBF Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 4.0 to 4.4; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: LLD
IRF3315LPbF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF2903ZSTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF2907S 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2907Z 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
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